半导体州结是构成红外发光器件(如：红外发射管)、光敏器件（如：红外接收头、红外接收管）及其它半导体器件的核心，下面，我们对结的形成及特性作一简要的说明。
我们知道，在P型半导本中，存在着带正电的空穴和带负电的离子及少量电子。P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但在整个半导体中正负电荷是相等的，因此呈电中性。在N型半导体中，存在着带负电的电子和带正电的离子及少量空穴。N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子.整个半导体也呈电中性。
当P型半导体和N型半导体组合到一起时，由于载流子浓度的差别，N区的电子向P区扩散，在靠近临界面的地方剩下带正电的离子;同时，P区的空穴也向N区扩散，在靠近临界面的地方剩下带负电的离子。临畀面处的正负离子是不能移动的。 这样就在PN结交界面的两侧形成一个空间电荷区.它所形成的电场叫内电场.内电场的方向由N区指向P区，见图2.2(a).
显然,这个内电场的方向是阻止扩散进一步进行的。另一方面，在内电场的作用下，P区的少数载流子(电子)，会被吸向N区，N区的少数载流子（空穴），会被吸向P区。这就是少数栽流在内电场作用下的漂移运动，当PN结刚建立时,扩散运动占优势，随着扩散的进行，PN结趑来越宽，内电场越来越强，漂移运动也逐渐加强。不难理解，扩散与漂移是同时出现的。当扩散与漂移运动相等时，达到动态平衡，PN结宽度形成稳定状态。
图2.2（b）是PN结的能带图。结结区的内电场说明，N区的电位比P区高，而对于电子来讲，电位低的地方电势能就高，故P区的能带相对N区上移。所以，PN结的能带在内电场区发生了弯曲，由PN结的能带图可以看出，如果N区的电子要到P区去，则要克服内电场而做功，在能带图上就表示为电子从N区到P区需要爬上势能的高坡，爬坡需要给出能童。相反，P区的电子要到N区左，不但不需要付出能量，还可以受内电场的加速而获得能址，在能帯图上表示为P区的电子可以方便地乘势滑下势能的高坡而不受阻碍。
我们知道，在P型半导本中，存在着带正电的空穴和带负电的离子及少量电子。P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但在整个半导体中正负电荷是相等的，因此呈电中性。在N型半导体中，存在着带负电的电子和带正电的离子及少量空穴。N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子.整个半导体也呈电中性。
当P型半导体和N型半导体组合到一起时，由于载流子浓度的差别，N区的电子向P区扩散，在靠近临界面的地方剩下带正电的离子;同时，P区的空穴也向N区扩散，在靠近临界面的地方剩下带负电的离子。临畀面处的正负离子是不能移动的。 这样就在PN结交界面的两侧形成一个空间电荷区.它所形成的电场叫内电场.内电场的方向由N区指向P区，见图2.2(a).
显然,这个内电场的方向是阻止扩散进一步进行的。另一方面，在内电场的作用下，P区的少数载流子(电子)，会被吸向N区，N区的少数载流子（空穴），会被吸向P区。这就是少数栽流在内电场作用下的漂移运动，当PN结刚建立时,扩散运动占优势，随着扩散的进行，PN结趑来越宽，内电场越来越强，漂移运动也逐渐加强。不难理解，扩散与漂移是同时出现的。当扩散与漂移运动相等时，达到动态平衡，PN结宽度形成稳定状态。
图2.2（b）是PN结的能带图。结结区的内电场说明，N区的电位比P区高，而对于电子来讲，电位低的地方电势能就高，故P区的能带相对N区上移。所以，PN结的能带在内电场区发生了弯曲，由PN结的能带图可以看出，如果N区的电子要到P区去，则要克服内电场而做功，在能带图上就表示为电子从N区到P区需要爬上势能的高坡，爬坡需要给出能童。相反，P区的电子要到N区左，不但不需要付出能量，还可以受内电场的加速而获得能址，在能帯图上表示为P区的电子可以方便地乘势滑下势能的高坡而不受阻碍。
