红外发光二极管的主要参数
1.正向工作电流IF 是指管子长期工作时，允许通过的最大平均正向电流。因为电流通过结要消耗一定的功而引起管子发热，若管子长期超过IF运行，会因过热而烧坏。因此，使用中管子的最大平均正向工作电流不得超过IF。
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红外发光二极管的基本特性
红外发光二极管的伏安特性如图2.5所示，与普通二极管的伏安特性相似。由图可见，红外发光二极管的正向压降UF与材料及正向电流有关，砷化镓红外发光二极管的UF在1〜2V之间。小功率管的UF=1〜1. 3V；中功率管的UF=1.6〜1.8V； 大功率管的UF<=2V在使用时应注意驱动电源电压的数值应大于红外发光二极管的正向电压降UF，否则不能...
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红外发射管的结构原理
红外发光二极管（红外发射管）是只有一个PN结的半导体器件，它与普通发光二极管(如:红、绿、黄、发光二极管〕结构原理与制作工艺基本相同，只是所用的材料不同。制造红外发光二极管材料有砷化镓、砷铝化镓等，其中应用最多的是砷化镓。
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红外线接收头的PN结及其基本特性
半导体州结是构成红外发光器件(如：红外发射管)、光敏器件（如：红外接收头、红外接收管）及其它半导体器件的核心，下面，我们对结的形成及特性作一简要的说明。
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半导体红外线接收头的基本特性
在自然界中，半导体材料很多，如锗、硅、砷化稼、硒、流化镉等。它能够得到广泛应用，主要是由于有下列特点:1.在纯净的半导体中加入微量杂质可以在很大范围内改变其导电能力，这是半导体最突出的性质。利用这一特点可以制成各种电子器件;2.半导体的导电能力在不同的外界条件下，如受到光和热刺激时.能显著改变其导电性能...
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