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红外发射管的结构原理

来源: 时间:2013-07-12 12:06:09 浏览次数:

红外发光二极管(红外发射管)是只有一个PN结的半导体器件,它与普通发光二极管(如:红、绿、黄、发光二极管〕结构原理与制作工艺基本相同,只是所用的材料不同。制造红外发光二极管材料有砷化镓、砷铝化镓等,其中应用最多的是砷化镓。
红外发光二极管(红外发射管)是只有一个PN结的半导体器件,它与普通发光二极管(如:红、绿、黄、发光二极管〕结构原理与制作工艺基本相同,只是所用的材料不同。制造红外发光二极管材料有砷化镓、砷铝化镓等,其中应用最多的是砷化镓。
在一块砷化镓半导体中,采用半导体掺杂工艺使其一部分为P型半导体;另一部分为N型半导体。在P型和N型半导体交界面就形成半导体PN结。与上一节介绍的PN结一样,P区多数载流子为空穴,少数载流子为电子;N区多数载流子为电子,少数载流子为空穴,并且具有一定的内电场,其能带结构如图2.3(a)所示。
当给这个PN结加上正向电压时(P区接正电压,N区接负电压),在外加电压的作用下,内电场被抵消.这样区的多数载流子(电子)在外电场的作用下注入P区,同时,P区的多数载流子(空穴)在外电场的作用下注入N区。如图2.3(b)所示。
实际上,外加正向电压作用就是加强了多数载流子的扩散运动。这些注入P区的电子和注入N区的空穴,对于注入区来讲都是非平衡少数载流子。这些非平衡少数载流子不断与注入区的多数载流子复合,将原来从外加电场吸收的能量以光子的形式释放,从而发出光来。这种发光过程叫辐射复合。这与导带中的电子到价带上与空穴复合一样,要释放出禁带宽度EG大小的能量,这种能量的释放是以发光的形式来进行的。这就是PN结发光的基本原理。
发光二极管发出的光波波长与所用材料禁带宽度EG有关。发光波长与半导体材料的禁带宽度EG之间的关系为:砷化镓材料的禁带宽度五EG〜1. 43eV,所以砷化镓红外发光二极管的发光波长~0.89um,为不可见的近红外光。用砷化镓材料制成的红外发光二极管的发光效率较高,可达3%,如果输入100mW的电功率,可获得3mW的红外光输出。另外,釆用半导体制作工艺,还可以在一定范围内控制器件的发光波长。
红外发光二极管一般采用环氧树脂、玻璃、塑料等透明材料封装,除白色透明材料封装外,还可见到用蓝色透明材科封装的发光二极管。红外发光二极管按发光功率的大小,可分为小功率
(几mW)、中功率(几十mW)、大功率(几百mW)三种。另外,红外发光二极管除顶面发光型,还有侧面发光型。小功率管一般采用全塑封装,也有部分是釆用陶瓷底座,顶端用玻璃或环氧树脂透镜封装的,中大功率管一般采用带螺纹金属底座,以便安装散热片,随着发光功率的提高,相应的管子的体积也增大。图2.4列出了几种红外发光二极管的封装形式。
由图2.4可以看出,红外发光管的封装有透镜式和平头式, 透镜式具有聚光作用,可以使发射光束集中,具有一定的指向性,常见的以透镜封装形式居多。




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